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天门中断楚江开的楚江指的是什么意思,天门中断楚江开的楚江指的是什么风景名胜 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突发消息(xī)。

  美光公司在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

  据(jù)网信办消息,日前,网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

  审查(chá)发(fā)现,美光公司(sī)产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患,对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险(xiǎn),影响我国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为此,网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī),我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

  此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查,目的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设施安全,是维护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开(kāi)放,只要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求,欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

  半(bàn)导体(tǐ)突发!中国出手:停止采购(gòu)!

  3月(yuè)31日,中国网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文称(chēng),为保障(zhàng)关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安全,防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险,维护国(guó)家安全,依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》,网络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》,对美光公司(Micron)在华(huá)销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头,也(yě)是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一,2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57%降至(zhì)2022年(nián)约11%。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,天门中断楚江开的楚江指的是什么意思,天门中断楚江开的楚江指的是什么风景名胜2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存(cún))市场份额约为 96.76%,三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM (内存(cún))市场份额(é)约为 94.35%。

  A股(gǔ)上(shàng)市公司中,江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

  美光在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显著下降,至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

  公(gōng)告显示, 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商,采购约31亿元(yuán),占比(bǐ)33.52%;2022年(nián),江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波(bō)龙已经在存天门中断楚江开的楚江指的是什么意思,天门中断楚江开的楚江指的是什么风景名胜储(chǔ)产业(yè)链(liàn)上下(xià)游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合(hé)约,确保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng),巩固公司在(zài)下游市场的供应优势,公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

  有券商此前就(jiù)分析(xī),如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到(dào)限制,或(huò)将(jiāng)导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士,国内(nèi)长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

  分析称,长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代(dài),2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu),同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽,催生更多设备需求。据东京电子披露,薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开(kāi)支合计(jì)为75%。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单,设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速,看好拓荆科技(薄膜沉积)等相(xiāng)关公司份额提升,以及存储业(yè)务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等(děng)收入增长。

 

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