大家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在(zài)较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护(hù)国家安全的(de)必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商大学老师最怕什么部门举报。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江大学老师最怕什么部门举报波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前(qián)就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到大学老师最怕什么部门举报1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉(chén)积(jī)）等(děng)相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 大学老师最怕什么部门举报