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　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对(duì)美光(guāng)公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙(lóng)采购占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的(de)供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原(yuán)厂香港割让是什么条约谁签字，香港割让是什么条约多少年武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加(j香港割让是什么条约谁签字，香港割让是什么条约多少年iā)入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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