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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全(quán)审查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了网络(luò)安全(quán)审查(ch历久弥新 什么意思，历久弥新后面一句是什么á)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国(guó)国(guó)家安(ān)全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依(yī)法作出不(bù)予通(tōng)过网络(luò)安全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络(luò)安(ān)全(quán)问题危害国(guó)家关键信息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市(shì历久弥新 什么意思，历久弥新后面一句是什么)场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在(zài)江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器(qì)的生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会(huì)更(gèng)深(shēn)的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多(duō)设备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公(gōng)司份额提升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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