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　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依(yī)法作(zuò)出不予通过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美(mě适合和合适的区别爱情，适合和合适的区别是什么i)光等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供(gōng)应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据(jù)东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入(rù)美国限制名(míng)单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及(jí)存(cún)储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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