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句读之不知是什么句式类型,句读之不知是什么句式的意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

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  美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全审查

  据网信办消息,日前,网络安(ān)全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

  审查(chá)发(fā)现,美光公(gōng)司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn),对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全(quán)风(fēng)险,影响我(wǒ)国(guó)国家安全(quán)。为此,网络安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法律法规,我(wǒ)国内关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

  此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查,目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基础设施安(ān)全,是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外(wài)开放,只要遵守中国(guó)法律法规要求,欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场。

  半导(dǎo)体突(tū)发(fā)!中国(guó)出手:停止采(cǎi)购!

  3月31日,中国网信(xìn)网发(fā)文称,为保障关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施供应链(liàn)安全,防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险,维(wéi)护国家安(ān)全,依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》,网络安(ān)全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查办法》,对美光公司(Micron)在华(huá)销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

  半(bàn)导体突发!中国出手(shǒu):停(tíng)止采购(gòu)!

  美(měi)光是美(měi)国的(de)存储芯片行业(yè)龙头,也是(shì)全球(qiú)存(cún)储芯片巨(jù)头之一,2022年收入来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57%降(jiàng)至2022年约11%。根据市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存(cún))市场份(fèn)额约为 96.76%,三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM (内存(cún))市(shì)场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

  美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降,至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

  公(gōng)告显(xiǎn)示(shì), 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商,采购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年,江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙(lóng)与三(sān)星、美光(guāng)、西部(bù)数(shù)据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约,确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定(dìng)性,巩固(gù)公司在下游市场的供应优势,公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

  有券(quàn)商此前就分析,如果美光(guāng)在中国(guó)区销售(shòu)受(shòu)到限(xiàn)制(zhì),或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì),国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

  分析(xī)称,长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代,2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60:1的深孔,未来(lái)可(kě)能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽,催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露,薄膜沉(chén)积设句读之不知是什么句式类型,句读之不知是什么句式的意思备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75%。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美(měi)国限制(zhì)名单,设备(bèi)国产化进程加速(sù),看好拓荆科技(薄膜沉积)等相(xiāng)关公司份额提升(shēng),以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的华海(hǎi)清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等收(shōu)入增长。

 

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