大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品美国管得了比尔盖茨吗未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络(luò)安(ān)全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全，是维护国(guó)家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入(rù)从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光(guāng)、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。美国管得了比尔盖茨吗>存储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能(néng)会更深(shēn)的(de)孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长(zhǎng)。