大家(jiā)好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guā老师上课说脏话犯法吗，老师上课骂脏话违法吗ng)公司在华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安全审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前(qián老师上课说脏话犯法吗，老师上课骂脏话违法吗)高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二(èr)大和第三大(dà)供(gōng)应(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供应(yīng)优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如(rú)果美光(guāng)在(zài)中国区销售受(shòu)到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生(shēng)更多(duō)设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国(guó)限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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