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　　美光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法对美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法作出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础设施的(de)运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安(ān)全(quán)的必(bì)要措(cuò)施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家(jiā)安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际(jì)存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位(wèi)列(liè)江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存中考立定跳远满分多少米2023，中考立定跳远男生评分标准2022储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的(de)供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分(fēn)析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开(kāi)支(zhī)合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限(xiàn)制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高(gāo)的(de)华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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