大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依(yī)法对美光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要(y七美德分别对应哪几个天使 七美德分别是谁ào)措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆七美德分别对应哪几个天使 七美德分别是谁供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光(guāng)在(zài)中国(guó七美德分别对应哪几个天使 七美德分别是谁)区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国(guó)外三(sān)星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积(jī)工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本(běn)开(kāi)支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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