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　　美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)的(de)产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司(sī)在华销售产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络(luò)安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国家安全(quán)的(de)必(bì)要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务(wù)进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司(sī)披(pī)露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国(guó)区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器(qì)的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结(jié)构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的(de)华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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