大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)云n是哪里的车牌号范产品网络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与三星、美(měi)光、西(xī)部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美(měi)光在(zài)中国区销(xiāo)售受到(云n是哪里的车牌号dào)限制，或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备(bèi)国产(c云n是哪里的车牌号hǎn)化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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