大家(jiā)好，来看一则(zé)突发消息。

　　美(mě适合和合适的区别爱情，适合和合适的区别是什么i)光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司(sī)在华(huá)销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范(fàn)产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光在全(quán)球(适合和合适的区别爱情，适合和合适的区别是什么qiú) DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn适合和合适的区别爱情，适合和合适的区别是什么)存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的(de)生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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