大家(jiā)好，来看一则(zé)突(tū)发消息(xī)。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产(chǎn)品进(jìn)行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ情怀经典句子正能量，形容一个人有情怀咋说)要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务(wù)进(jìn)入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照(z情怀经典句子正能量，形容一个人有情怀咋说hào)《网络安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已(yǐ)经(jīng)显著(zhù)下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最(zuì)关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前(qián)沿(yán)要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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