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肠粉用什么粉做最好,肠粉一般用什么粉做的 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则突发消息。

  美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查(chá)

  据网信办消(xiāo)息,日前,网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查。

  审查发现,美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn),对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险,影响我国国家安全。为此,网络安(ān)全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规(guī),我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司产品。

  此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查,目的(de)是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全,是维护国家安全的必要措(cuò)施肠粉用什么粉做最好,肠粉一般用什么粉做的。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放,只要(yào)遵守中国法律法规要求,欢迎各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市(shì)场。

  半导体(tǐ)突(tū)发!中(zhōng)国(guó)出手:停止采购!

  3月31日,中国(guó)网信网发文称(chēng),为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安全,防范(fàn)产(chǎn)品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全风险(xiǎn),维护国家安全,依据《中华(huá)人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法(fǎ)》,网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》,对(duì)美光公司(Micron)在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

  半导体突发!中国出(chū)手:停止采购!

  美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头,也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一(yī),2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪(shǎn)存(cún))市场份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中,江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

  美光(guāng)在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著(zhù)下降,至少已经不是主要大供应商。

  公告(gào)显示, 2021年美(měi)光位(wèi)列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波(bō)龙第(d肠粉用什么粉做最好,肠粉一般用什么粉做的ì)一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì),江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合约,确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性,巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势,公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

  有券(quàn)商此前就(jiù)分析,如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到限制,或将导致下游客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士,国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

  分析称,长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代,2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤,同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60:1的深孔,未来(lái)可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者(zhě)沟(gōu)槽,催(cuī)生更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露(lù),薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75%。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单,设备国(guó)产化进程加(jiā)速(sù),看好(hǎo)拓(tuò)荆科技(薄(báo)膜沉积(jī))等相关公(gōng)司份额提升(shēng),以(yǐ)及存(cún)储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗)等收入增(zēng)长。

 

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