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　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。自然堂雪域精粹适合什么年龄，自然堂紫色和蓝色哪个好strong>为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安(ān)全(quán)问(wèn)题(tí)危(wēi)害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安(ān)全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显自然堂雪域精粹适合什么年龄，自然堂紫色和蓝色哪个好示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立(lì)国内(nèi)外广泛(fàn)合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西(xī)部数据(jù)等(děng)主要存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也(yě)与国(guó)内国(guó)产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国(guó)区(qū)销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演进到1Xn自然堂雪域精粹适合什么年龄，自然堂紫色和蓝色哪个好m、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结(jié)构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储(chǔ)被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务(wù)占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。