大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售的(de)产品未通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日(rì)前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不(bù)予通过(guò)网络安全(quán)审查(chá)的结(jié)论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)安全，是维护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类(lèi)平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公(gō阅历是什么意思ng)室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的(de)存(cún)储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场(chǎng)收入(rù)从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也阅历是什么意思ight: 24px;'>阅历是什么意思(yě)与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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