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　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查(chá)

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安全(quán)问(wèn)题(tí)隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查(chá)，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安(ān)全风(fēng)险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全(quán)球(qiú)存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国(guó)际存(cún)储厂商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美(měi)光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波阅历是什么意思龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在(zài)下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗阅历是什么意思）等收入增长。

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