大家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题(tí)危害(hài)国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措山衔落日浸寒漪中的衔字是什么意思，衔的意思施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要(yào)求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美(měi)国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全(quán山衔落日浸寒漪中的衔字是什么意思，衔的意思)球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收(shōu)入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产(chǎn)业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限(xiàn)制名(míng)单，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及(jí)存储业务(wù)占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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