大家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安(ān)全。kind用法固定搭配，kind用法总结g>为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不予通(tōng)过(guò)网络安全(quán)审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查(chá)，目的(de)是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎(yíng)各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31kind用法固定搭配，kind用法总结日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露(lù)过(guò)美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经(jīng)显著下(xià)降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年(nián)美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数(shù)据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国(guó)区(qū)销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外(wài)三(sān)星、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来(lái)可(kě)能会(huì)更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。