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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络(luò)安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品实施(shī)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商社日节是什么节日 社日节是农历几月初几，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积社日节是什么节日 社日节是农历几月初几）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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