大(dà)家好，来(lái)看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美光公司(sī)在办公室做剧烈运动，卫生间做剧烈运动在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查在办公室做剧烈运动，卫生间做剧烈运动办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光(guāng)、西部(bù)数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司(sī)在下游市(shì)场的(de)供(gōng)应优(yōu)势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)在办公室做剧烈运动，卫生间做剧烈运动strong>

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设(shè)备需(xū)求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。