大(dà)家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安(ān)全审查(c发奋还是发愤读书啊，发奋还是发愤图强há)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，<发奋还是发愤读书啊，发奋还是发愤图强strong>美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题(tí)危害国家关(guān)键信息基础设施(shī)安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的(de)必(bì)要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛合作。发奋还是发愤读书啊，发奋还是发愤图强2022年年(nián)报(bào)显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西(xī)部数(shù)据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在中(zhōng)国(guó)区销售(shòu)受到(dào)限(xiàn)制，或(huò)将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积(jī)设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务(wù)占比较(jiào)高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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