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莫代尔与粘纤区别 莫代尔是粘纤的一种吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来(lái)看一则突发(fā)消息(xī)。

  美(měi)光公司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网络安全审查(chá)

  据网信办消息,日前,网络安(ān)全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

  审(shěn)查(chá)发现(xiàn),美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安(ān)全(quán)问题隐患,对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全(quán)风险,影响我国国家安全。为此,网络(luò)安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规,我国内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品。

  此(cǐ)次对(duì)美光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查,目的是防范产品网络(luò)安全问(w莫代尔与粘纤区别 莫代尔是粘纤的一种吗èn)题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全,是维护(hù)国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外(wài)开放,只要遵守中(zhōng)国法律法规要求,欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

  半(bàn)导体突(tū)发!中国(guó)出(chū)手(shǒu):停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国网(wǎng)信(xìn)网发文称,为(wèi)保障关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应链安(ān)全,防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险,维护国家安(ān)全(quán),依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》,网(wǎng)络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法》,对美光公司(sī)(Micron)在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

  半导体突发(fā)!中国出(chū)手:停止(zhǐ)采购!

  美(měi)光是(shì)美国的存(cún莫代尔与粘纤区别 莫代尔是粘纤的一种吗)储芯片行业龙(lóng)头,也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī),2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自(zì)中国市场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市场份额约(yuē)为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内(nèi)存)市(shì)场份额约为 94.35%。莫代尔与粘纤区别 莫代尔是粘纤的一种吗>

  A股(gǔ)上市公司中,江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商。

  美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显著下降(jiàng),至少已经不(bù)是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng),采购约31亿(yì)元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示,江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约,确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性,巩固(gù)公司在下游市场的供应优(yōu)势,公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

  有券商此前(qián)就分析,如果(guǒ)美光在中国区销售受到(dào)限(xiàn)制,或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士,国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

  分析(xī)称,长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代,2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60:1的(de)深孔(kǒng),未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽,催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露,薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支(zhī)合计为(wèi)75%。自长江存(cún)储被加(jiā)入(rù)美国限制名(míng)单(dān),设备国(guó)产(chǎn)化进程加速(sù),看好拓荆科技(薄膜沉积)等(děng)相关(guān)公司份额(é)提升,以(yǐ)及存储业务占比较高的华(huá)海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入(rù)增长。

 

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