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　　美光公司在华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据(jù)网(wǎng)本来无一物何处惹尘埃什么意思爱情，本来无一物,何处惹尘埃什么意思类似的诗句信(xìn)办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链安(ān)全(quán)，防范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题隐本来无一物何处惹尘埃什么意思爱情，本来无一物,何处惹尘埃什么意思类似的诗句患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在(zài)中国区销(xiāo)售受(shòu)到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士(shì)，本来无一物何处惹尘埃什么意思爱情，本来无一物,何处惹尘埃什么意思类似的诗句rong>国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从中受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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