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　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)未通(tōng)过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依(yī)法作出不(bù)予(yǔ)通过网(wǎng)络安全(quán)审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全(quán)问题(tí)危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全的必纤纤玉手什么意思打一生肖，纤纤玉手什么意思解一生肖要措(cuò)施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文(wén)称(chēng)，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照(zhào)《网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三(sān)星、美(měi)光、西部(bù)数(shù)据等主要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公(gōng)司在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果(guǒ)美光在(zài)中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士(shì)，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存(cún)储业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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