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　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光(guāng)公司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国(guó)市(shì)场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57r在数学集合中是什么意思啊，r在数学集合中表示什么％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要(yào)大供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(sr在数学集合中是什么意思啊，r在数学集合中表示什么hèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增(zēng)长。

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