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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存(cún)在较(jiào)严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，镇关西是谁，镇关西是谁打死的g>我(wǒ)国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品镇关西是谁，镇关西是谁打死的。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安(ān)全的必(bì)要措(cuò)施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持镇关西是谁，镇关西是谁打死的良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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