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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造(zào)成重大安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％心力憔悴是什么意思，心力憔悴是成语吗。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美(měi)光心力憔悴是什么意思，心力憔悴是成语吗(guāng)位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK心力憔悴是什么意思，心力憔悴是成语吗海力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被(bèi)加(jiā)入(rù)美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关(guān)公司份额(é)提升，以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增(zēng)长。

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