大家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关(guā三生有幸遇见你下一句怎么接，三生有幸遇见你下一句幽默n)键信(xìn)息基础设施安全，是维护国(guó)家安全(quán)的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查办三生有幸遇见你下一句怎么接，三生有幸遇见你下一句幽默公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下(xià)降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约(yuē)，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或(huò)将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的(de)结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更(gèng)深(shēn)的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升，以及存(cún)储(chǔ)业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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