大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国(guó)关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国(guó)家(jiā)安全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　<全国有多少个省市自治区和直辖市 全国有多少个地级市img alt="半导体突发！中国出(chū)手(shǒu)：停止(zhǐ)采购！" src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212185.png">

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美全国有多少个省市自治区和直辖市 全国有多少个地级市上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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