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　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施。中国城野医生是哪里的品牌，城野医生是什么品牌(guó)坚(jiān)定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片(pi城野医生是哪里的品牌，城野医生是什么品牌àn)行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等(děng)相关(guān)公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存(cún)储业务(wù)占(zhàn)比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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