大家(jiā)好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光(guāng)公司产品进行网(wǎng硅酸铝针刺毯两公分厚是多长的 硅酸铝针刺毯有害吗)络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服(fú)务进入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家(jiā)安(ān)全法(fǎ)》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入(rù)从(cóng)此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.硅酸铝针刺毯两公分厚是多长的 硅酸铝针刺毯有害吗52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第(dì)三(sān)大(dà)供(gōng)应(yīng)商采购金(硅酸铝针刺毯两公分厚是多长的 硅酸铝针刺毯有害吗jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客(kè)户(hù)转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入(rù)美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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