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　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问(wèn)题(苏修是什么意思，苏修是什么意思tí)隐患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全苏修是什么意思，苏修是什么意思法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进(jìn)行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位苏修是什么意思，苏修是什么意思列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大、第二大和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业(yè)链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势(shì)，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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