大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安(ān)全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的(de)运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害(hài)国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措(cuò防晒衣买什么颜色的好，七种颜色防紫外线排行)施。中(zhōng)国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入(rù)中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设(shè)施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存(cún)储(chǔ)等公司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商(shāng)采购金额(é)占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下(xià)游(yóu)市(shì)场的(de)供应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升(防晒衣买什么颜色的好，七种颜色防紫外线排行shēng)，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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