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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的(de)产品未通过(guò)网络(luò)安(ān)全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础设施供应链造(zào)成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美(měi)光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题(tí)危害(hài)国(guó)家关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、梭子蟹什么时候上市，舟山梭子蟹什么时候上市各类平台产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场梭子蟹什么时候上市，舟山梭子蟹什么时候上市份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至(zhì)少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二(èr)大(dà)和(hé)第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下(xià)游(yóu)客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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