大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销售银耳越黄越好还是越白越好，干银耳为什么越放越黄的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美(měi)光公(gōng)司(sī)产品存(cún)在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大(dà)安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法作出(chū)不予通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外(w银耳越黄越好还是越白越好，干银耳为什么越放越黄ài)开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)实施网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(s银耳越黄越好还是越白越好，干银耳为什么越放越黄ī)披露过美光等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已(yǐ)经不(bù)是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更(gèng)深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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