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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在(zài)较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安未置可否和不置可否的区别在哪，未置可否的置是什么意思全审查(chá)的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内未置可否和不置可否的区别在哪，未置可否的置是什么意思关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施(shī)的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题危害国家关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大(dà)和第(dì)三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部(bù)数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会(huì)更(gèng)深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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