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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的(de)产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信岳飞是哪个朝代的人，岳飞是哪个朝代的皇上办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存(cún)在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的(de)是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要(yào)措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对(duì)外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业岳飞是哪个朝代的人，岳飞是哪个朝代的皇上、各类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务进(jìn)入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保存(cú岳飞是哪个朝代的人，岳飞是哪个朝代的皇上n)储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而(ér)采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支(zhī)合计为(wèi)75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限制名单(dān)，设备国(guó)产化(huà)进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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