大家好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对(duì)我国(guó)关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全。为(夏朝距今多少年，夏朝距今多少年2022wèi)此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设(shè)施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)危(wēi)害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品夏朝距今多少年，夏朝距今多少年2022(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在(zài)下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜(mó)沉(chén)积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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