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　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售产品进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，中通中转站一般会停多久的车 快递中转站一般会停多久trong>美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全(quán)审查的(de)结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是(shì)防范产品网络(luò)安(ān)全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国家安全的(de)必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(t中通中转站一般会停多久的车 快递中转站一般会停多久ái)产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国(guó)家安全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国(guó)内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区(qū)销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客(kè)户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最(zuì)关键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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