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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品未(wèi)通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对美(měi)光(guāng)公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产品进(jìn)行(xíng)了网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存(cún)在(zài)较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公(gōng)室按照(zhào)《网络安(ān)全(quán)审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入(rù)从此(cǐ)前(qián)高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公(gōng)司(sī)也(yě)与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江(jiān硅酸铝针刺毯两公分厚是多长的 硅酸铝针刺毯有害吗g)存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　硅酸铝针刺毯两公分厚是多长的 硅酸铝针刺毯有害吗　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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