大家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法作(zuò)出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查(chá)，目的(de)是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设(shè)施安(ān)全，是维护(hù)国(guó)家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入(rù)中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安全外面黑里面粉会介意吗，为啥我对象外面黑的里面发红风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光公司(sī)（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到(dào)限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上(shàng)游设(shè)备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的(de)孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存(cún)储(chǔ)业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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