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　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国(guó)关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为(wèi)此(cǐ)，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查的结(jié)论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规，定语中心语是什么意思，连接状语和中心语是什么意思rong>我国(guó)内关(guān)键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护(hù)国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平(píng)台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)安全(quán)，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国(guó)国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存(cún)储(chǔ)芯片行业(yè)龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过(guò)美光等国际存(c定语中心语是什么意思，连接状语和中心语是什么意思ún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据(jù)等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公(gōng)司(sī)在下游市场(chǎng)的(de)供应优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进(jìn)程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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