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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安(ān)全的必要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安(ān)全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全审查办20mm等于多少厘米 20mm是多大法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美(měi)光(guāng)是(shì)美国(guó)的(de)存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和20mm等于多少厘米 20mm是多大5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建(jiàn)立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析(xī)，如果美光(guāng)在中国(guó)区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的(de)生(shēng)产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额(é)提升，以及(jí)存储(chǔ)业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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