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　　美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严(yán)重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施的(de)运营者应停(tíng)止采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此(c母亲三周年祭日需要准备什么祭品，三周年祭日需要准备什么祭品爸爸ǐ)次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题(tí)危(wēi)害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国家安全(quán母亲三周年祭日需要准备什么祭品，三周年祭日需要准备什么祭品爸爸)的必要(yào)措施。中国(guó)坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法规(guī)要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安(ān)全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入(rù)来(lái)自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供(gōng)母亲三周年祭日需要准备什么祭品，三周年祭日需要准备什么祭品爸爸应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下(xià)游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益(yì)。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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