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　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的(de)产品未(wèi)通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法对美光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)产品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安(ān)全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依(yī)法作出不(bù)予通过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络(luò)安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美国的(de)存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(j为什么家人的核酸检测都出来了,我的还没有出来，和家人一起做的核酸检测为什么我的没出结果ī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美(měi)光等国(guó)际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主要大(dà)供(gō为什么家人的核酸检测都出来了,我的还没有出来，和家人一起做的核酸检测为什么我的没出结果ng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛(fàn)合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存(cún)储(chǔ)被加(jiā)入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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