大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供(gōng)应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题危害(hài)国(guó)家关键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定(dìng)推(tuī)进高水平(píng)对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美国领土超过中国了吗，美国领土比中国领土大吗p>

　　美(měi)光(guāng)是美国的(de)存(cún)储芯(xīn)片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应(yīng)商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了(le)长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时(shí)刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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