大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对(duì)美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广(东边不亮西边亮的意思是什么，东边不亮西边亮典故guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)东边不亮西边亮的意思是什么，东边不亮西边亮典故部(bù)数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署了(le)长期(qī)合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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