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一米等于多少微米等于多少纳米,一厘米等于多少微米

一米等于多少微米等于多少纳米,一厘米等于多少微米 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家(jiā)好,来看一则突(tū)发消息。

  美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查(chá)

  据(jù)网信办消息,日前,网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

  审查发现,美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网络安(ān)全问(wèn)题隐患(huàn),对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险,影响我国国(guó)家安全。为此,网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规,我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。

  此次对美光公司产品进行网络安全审查,目的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危害国家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施安全,是维护国家安全(quán)的(de)必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放(fàng),只要遵守中国法律法规(guī)要求,欢迎(yíng)各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进(jìn)入中国(guó)市场。

  半导体突发!中国(guó)出手:停止采(cǎi)购!

  3月31日,中国(guó)网信网发文称,为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全,防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn),维护国家安全,依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》,网络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安(ān)全审查。

  半导(dǎo)体突(tū)发!中国出手:停止采购!

  美光是美国(guó)的存(cún)储芯片(piàn)行业(yè)龙头,也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一,2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据(jù)市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额(é)约为 96.76%,三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上(shàng)市公司中,江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披(pī)露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

  美光(guāng)在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已一米等于多少微米等于多少纳米,一厘米等于多少微米经显著(zhù)下降(jiàng),至(zhì)少(shǎo)已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位列江波龙第(dì)一(yī)大存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应商(shāng),采购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì),江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē),确保存储晶圆供应的稳定性,巩固公司在下游市场的(de)供应优势(shì),公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

  有券(quàn)商此前就分析,如果美光(guāng)在(zài)中国(guó)区销(xiāo)售受到限制,或(huò)将导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士,国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

  分析称,长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAN一米等于多少微米等于多少纳米,一厘米等于多少微米D每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu),同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽,催生更(gèng)多设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东京(jīng)电子披露,薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合(hé)计为75%。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国(guó)限制名单,设备国产化进程加速,看好拓荆科技(薄膜沉积(jī))等相关公司份额提升,以及存储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科(CMP)、盛美(měi)上海(清洗)等收入增长。

 

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